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面向4-8英寸襯底0.25μm以上技術(shù)代的通用高密度等離子體刻蝕設(shè)備，集成高密度等離子體源、高壽命卡盤、精密的腔室溫度控制系統(tǒng)，快速匹配的射頻系統(tǒng)等多項先進(jìn)技術(shù)。GXE刻蝕機(jī)可滿足硅、介質(zhì)、化合物半導(dǎo)體的刻蝕工藝需求。

GSE200系列等離子刻蝕機(jī)

支持8 路氣體配置
適用于多種材料刻蝕的研發(fā)及失效分析
提供研發(fā)所需的豐富的工藝數(shù)據(jù)庫支持
適用于8 寸及以下各種形狀的樣片加工
低運(yùn)營成本

GDE200系列等離子刻蝕機(jī)

適用于光波導(dǎo)、SiC 等介質(zhì)刻蝕工藝領(lǐng)域
低使用成本，低犧牲耗材
界領(lǐng)先的刻蝕速率
成熟的SiC、U-MOS、二極管及通孔刻蝕工藝解決方案
靈活的系統(tǒng)配置，適合研發(fā)、中試線、大規(guī)模生產(chǎn)線的不同應(yīng)用

GCE200系列等離子刻蝕機(jī)

適用于Ⅲ-V 族、HEMT、激光器領(lǐng)域
可實現(xiàn)低于2nm/min 的GaN 刻蝕速率
低運(yùn)營成本
有效降低器件損傷
靈活的系統(tǒng)配置，適合研發(fā)、中試線、大規(guī)模生產(chǎn)線的不同應(yīng)用

GXE200S

單腔室，自動傳輸，適用于研發(fā)及小規(guī)模生產(chǎn)；
更小占地面積和操作靈活性，有效降低采購和使用成本；

GXE200C

單腔室，c-c自動裝卸載，自動傳輸，適用于研發(fā)及規(guī)模生產(chǎn)；
更高自動化程度，有效提高生產(chǎn)效率和穩(wěn)定性；
全自動大產(chǎn)能設(shè)備，配備多腔室，全自動裝卸載和傳輸模塊，適用于大規(guī)模生產(chǎn)線；
支持批量生產(chǎn)的設(shè)備架構(gòu)，可實現(xiàn)工廠級別的自動化控制，有效降低人力成本和差錯率

GXE200L

全自動大產(chǎn)能設(shè)備，配備多腔室，全自動裝卸載和傳輸模塊，適用于大規(guī)模生產(chǎn)線；

GXE200系列等離子刻蝕機(jī) 半導(dǎo)體應(yīng)用

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