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    冷壁CVD生長設備

    應用于半導體行業(yè)：

    半導體加工設備-鍍膜設備

    庫       存：

    10000

    產       地：

    中國-江蘇省

    數       量：

    減少 增加

    價       格：

    面議
    交易保障 擔保交易 網銀支付

    品牌：

    型號：

    所屬系列：半導體加工設備-鍍膜設備

     

    冷壁CVD生長設備是常州國成新材料科技有限公司針對現有石英管式爐CVD生長設備功耗大、控制性差、產量低等缺點開發(fā)出來的一款新型CVD生長設備。該設備不僅可以用于石墨烯生長，還可六角氮化硼等二維材料薄膜、MBE薄膜及復合薄膜生長。  
    亮點：  
    ☆背景氣壓低，雜質氣體干擾少。  
    ☆參數控制性好，實驗重現性高。  
    ☆可擴展性強，可以定制原位金屬電極蒸鍍參雜等功能。  
    ☆能耗低。  
    ☆產量高，適用于工業(yè)化生產（大型冷壁CVD）。  
    技術參數：  

      小型冷壁CVD 中型冷壁CVD 大型冷壁CVD
    本底真空 5 x 10-7 mbar 5 x 10-7 mbar 5 x 10-6 mbar
    樣品尺寸 1 cm × 1 cm 10 cm × 10 cm 40 cm × 320 cm
    外漏率 <10-12mbar•l•s-1 <10-12mbar•l•s-1 <10-10mbar•l•s-1
    內漏率 <10-11mbar•l•s-1 <10-11mbar•l•s-1 <10-10mbar•l•s-1
    溫度范圍 室溫~1100℃ 室溫~1100℃ 室溫~1100℃
    樣品溫度均勻性 1000℃時溫差在10℃以內 1000℃時溫差在3℃以內 1000℃時溫差在20℃以內
    最快降溫速度 5秒從1000℃降到800℃ 5秒從1000℃降到800℃ 240秒從1000℃降到800℃
    溫度控制 可選PID程序控制 可選PID程序控制 可選PID程序控制
    進氣控制 微漏閥或者程序控制 微漏閥或者程序控制 微漏閥或者程序控制

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