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冷壁CVD生長(zhǎng)設(shè)備是常州國(guó)成新材料科技有限公司針對(duì)現(xiàn)有石英管式爐CVD生長(zhǎng)設(shè)備功耗大、控制性差、產(chǎn)量低等缺點(diǎn)開(kāi)發(fā)出來(lái)的一款新型CVD生長(zhǎng)設(shè)備。該設(shè)備不僅可以用于石墨烯生長(zhǎng)，還可六角氮化硼等二維材料薄膜、MBE薄膜及復(fù)合薄膜生長(zhǎng)。
亮點(diǎn)：
☆背景氣壓低，雜質(zhì)氣體干擾少。
☆參數(shù)控制性好，實(shí)驗(yàn)重現(xiàn)性高。
☆可擴(kuò)展性強(qiáng)，可以定制原位金屬電極蒸鍍參雜等功能。
☆能耗低。
☆產(chǎn)量高，適用于工業(yè)化生產(chǎn)（大型冷壁CVD）。
技術(shù)參數(shù)：

	小型冷壁CVD	中型冷壁CVD	大型冷壁CVD
本底真空	5 x 10-7 mbar	5 x 10-7 mbar	5 x 10-6 mbar
樣品尺寸	1 cm × 1 cm	10 cm × 10 cm	40 cm × 320 cm
外漏率	<10-12mbar•l•s-1	<10-12mbar•l•s-1	<10-10mbar•l•s-1
內(nèi)漏率	<10-11mbar•l•s-1	<10-11mbar•l•s-1	<10-10mbar•l•s-1
溫度范圍	室溫~1100℃	室溫~1100℃	室溫~1100℃
樣品溫度均勻性	1000℃時(shí)溫差在10℃以?xún)?nèi)	1000℃時(shí)溫差在3℃以?xún)?nèi)	1000℃時(shí)溫差在20℃以?xún)?nèi)
最快降溫速度	5秒從1000℃降到800℃	5秒從1000℃降到800℃	240秒從1000℃降到800℃
溫度控制	可選PID程序控制	可選PID程序控制	可選PID程序控制
進(jìn)氣控制	微漏閥或者程序控制	微漏閥或者程序控制	微漏閥或者程序控制

冷壁CVD生長(zhǎng)設(shè)備

應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

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