關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體，C-V特性，集成電路

SCD-1500型半導(dǎo)體C-V特性分析儀創(chuàng)新性地采用了雙CPU架構(gòu)、Linux底層系統(tǒng)、10.1英寸電容式觸摸屏、中英文操作界面、內(nèi)置使用說明及幫助等新一代技術(shù)，適用于生產(chǎn)線快速分選、自動(dòng)化集成測(cè)試及滿足實(shí)驗(yàn)室研發(fā)及分析。半導(dǎo)體C-V特性分析儀測(cè)試頻率為10kHz-2MHz，VGS電壓可達(dá)±40V，足以滿足二極管、三極管、MOS管及IGBT等半導(dǎo)體件CV特性測(cè)試分析。

一、主要應(yīng)用范圍：

半導(dǎo)體元件/功率元件
二極管、三極管、MOSFET、IGBT、晶閘管、集成電路、光電子芯片等寄生電容測(cè)試、C-V特性分析

半導(dǎo)體材料
晶圓、C-V特性分析

液晶材料
彈性常數(shù)分析

二、性能特點(diǎn)：

通道：2（可擴(kuò)展至6）

高偏置：VGS：0 - ±40V，VDS：0–200V,1500V,3000V

雙CPU架構(gòu)，最短積分時(shí)間0.56ms（1800次/秒）

10.1英寸電容式觸摸屏，分辨率1280*800，Linux系統(tǒng)

點(diǎn)測(cè)、列表掃描、圖形掃描(選件)三種測(cè)試方式

四寄生參數(shù)（Ciss、Coss、Crss、Rg）同屏顯示

快速導(dǎo)通測(cè)試Cont

一體化設(shè)計(jì)：LCR+高壓源+繼電器矩陣

快速充電，縮短電容充電時(shí)間，實(shí)現(xiàn)快速測(cè)試

自動(dòng)延時(shí)設(shè)置

10檔分選

三、功能特點(diǎn)

A.單點(diǎn)測(cè)試，10.1英寸大屏，四種寄生參數(shù)同屏顯示，讓細(xì)節(jié)一覽無遺

10.1英寸觸摸屏、1280*800分辨率，Linux系統(tǒng)、中英文操作界面，支持鍵盤、鼠標(biāo)、LAN接口，帶來了無以倫比的操作便捷性。

MOSFET最重要的四個(gè)寄生參數(shù)：Ciss、Coss、Crss、Rg在同一個(gè)界面直接顯示測(cè)量結(jié)果，并將四個(gè)參數(shù)測(cè)試等效電路圖同時(shí)顯示，一目了然。

多至6個(gè)通道測(cè)量參數(shù)可快速調(diào)用，分選結(jié)果在同一界面直接顯示。

B.列表測(cè)試，靈活組合

SCD-1500型半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持最多6個(gè)通道、4個(gè)測(cè)量參數(shù)的測(cè)試及分析，列表掃描模式支持不同通道、不同參數(shù)、不同測(cè)量條件任意組合，并可設(shè)置極限范圍，并顯示測(cè)量結(jié)果 。

C.曲線掃描功能（選件）

SCD-1500型半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線分析，可以對(duì)數(shù)、線性兩種方式實(shí)現(xiàn)曲線掃描，可同時(shí)顯示多條曲線：同一參數(shù)、不同Vg的多條曲線；同一Vg、不同參數(shù)多條曲線 。 

C.曲線掃描功能（選件）

SCD-1500型半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線分析，可以對(duì)數(shù)、線性兩種方式實(shí)現(xiàn)曲線掃描，可同時(shí)顯示多條曲線：同一參數(shù)、不同Vg的多條曲線；同一Vg、不同參數(shù)多條曲線 。 

D.簡(jiǎn)單快捷設(shè)置 

E.10檔分選及可編程HANDLER接口

儀器提供了10檔分選，為客戶產(chǎn)品質(zhì)量分級(jí)提供了可能，分選結(jié)果直接輸出至HANDLER接口。

在與自動(dòng)化設(shè)備連接時(shí)，怎么配置HANDLER接口輸出，一直是自動(dòng)化客戶的難題，TH510系列將HANDLER接口腳位、輸入輸出方式、對(duì)應(yīng)信號(hào)、應(yīng)答方式等完全可視化，讓自動(dòng)化連接更簡(jiǎn)單。 

F.支持定制化，智能固件升級(jí)方式

SCD-1500型半導(dǎo)體C-V特性分析儀客戶而言是開放的，儀器所有接口、指令集均為開放設(shè)計(jì)，客戶可自行編程集成或進(jìn)行功能定制，定制功能若無硬件更改，可直接通過固件升級(jí)方式更新。

儀器本身功能完善、BUG解決、功能升級(jí)等，都可以通過升級(jí)固件(Firmware)來進(jìn)行更新，而無需返廠進(jìn)行。

固件升級(jí)非常智能，可以通過系統(tǒng)設(shè)置界面或者文件管理界面進(jìn)行，智能搜索儀器內(nèi)存、外接優(yōu)盤甚至是局域網(wǎng)內(nèi)升級(jí)包，并自動(dòng)進(jìn)行升級(jí) 

G.半導(dǎo)體元件寄生電容知識(shí)

在高頻電路中，半導(dǎo)體器件的寄生電容往往會(huì)影響半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)特性，所以在設(shè)計(jì)半導(dǎo)體元件時(shí)需要考慮下列因數(shù)在高頻電路設(shè)計(jì)中往往需要考慮二極管結(jié)電容帶來的影響；MOS管的寄生電容會(huì)影響管子的動(dòng)作時(shí)間、驅(qū)動(dòng)能力和開關(guān)損耗等多方面特性；寄生電容的電壓依賴性在電路設(shè)計(jì)中也是至關(guān)重要，以MOSFET為例。

技術(shù)參數(shù)

1、 通道：2通道（可擴(kuò)展6通道）

2、 顯示：液晶顯示，觸摸屏

3、 測(cè)量參數(shù)：C、L、X、B、R、G、D、Q、ESR、Rp、θ、|Z|、|Y|

4、 測(cè)試頻率：10kHz-2MHz

5、 精度：0.01%

6、 分辨率：10mHz  1.00000kHz-9.99999kHz

7、 電壓范圍：5mVrms-2Vrms

8、 精度：±（10%×設(shè)定值+2mV）

9、 VGS電壓： ±40V，準(zhǔn)確度：1%×設(shè)定電壓+8Mv,分辨率;1mV(0V-±10V)

10、 VDS電壓：0 - 200V

11、 精度：1%×設(shè)定電壓+100mV

12、 1%×設(shè)定電壓+100mV

13、 輸出阻抗：100Ω，±2%@1kHz