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X射線光電子能譜儀(XPS)+餓歇電子能譜儀(AES)
XPS利用光電效應(yīng)的原理，測(cè)量X射線激發(fā)出的光電子能量和計(jì)數(shù)，對(duì)樣品表面幾個(gè)納米深度的范圍內(nèi)進(jìn)行半定量的成分和化學(xué)態(tài)分析；AES利用電子激發(fā)出的俄歇電子，對(duì)表面進(jìn)行微區(qū)的成分和化學(xué)態(tài)分析。
測(cè)試范圍：
除H和He之外的所有元素
分析深度約5nm(AES約3nm)
檢測(cè)下限約0.1%
空間分辨率約30μm(AES約10nm)
服務(wù)項(xiàng)目：
各種固體表面的元素成分
化學(xué)價(jià)態(tài)
分子結(jié)構(gòu)分析
深度剖析
表面異物分析
商家資料
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