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中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線投產(chǎn)

發(fā)表于:2017-11-10  作者:dsm1219  關(guān)注度:171

11月9日,英諾賽科(珠海)科技有限公司自主研發(fā)的中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線在珠海正式通線投產(chǎn)。

氮化鎵又被稱作第三代半導體,是當今世界上最具潛力的半導體材料之一,并被預言將會在不久的未來改變世界。硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)早在20年前就開始在歐洲和美國等地發(fā)展,如今在產(chǎn)品和技術(shù)方面已經(jīng)取得了重大進展。然后,在中國該產(chǎn)業(yè)才剛起步,中國在這一產(chǎn)品領(lǐng)域尚屬空白。

英諾賽科(珠海)科技有限公司擁有世界領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵外延技術(shù),突破了低翹曲度、低缺陷及位錯密度、低漏電晶圓制造的全球性挑戰(zhàn),將碎片率大幅降至1%以下領(lǐng)先水平。經(jīng)過兩年的努力,該公司已建成中國首條完整8英寸硅基氮化鎵外延與芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線,主要產(chǎn)品包括100V-650V氮化鎵功率器件,設(shè)計及性能均達到國際最先進水平,將廣泛應用于電力電子、新能源、電動汽車、信息與通信和智能工業(yè)等領(lǐng)域。

“建設(shè)一個自主可控、安全的生產(chǎn)體系,這是半導體行業(yè)、信息產(chǎn)業(yè)的責任。企業(yè)只有建立起自己的研發(fā)體系、人才體系,這樣才能不斷進步,不斷領(lǐng)先。”中國半導體行業(yè)協(xié)會執(zhí)行副理事長兼秘書長徐小田當天在現(xiàn)場表示,作為半導體行業(yè)協(xié)會,政策上將著重在科研體系的建立、人才培養(yǎng)等方面給予關(guān)注,與所有企業(yè)一起改善環(huán)境,參與國際競爭、國際交流,推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

當天,多名業(yè)內(nèi)專家在隨后舉行的研討會上談到,氮化鎵產(chǎn)業(yè)已經(jīng)到了爆發(fā)前夜,在8英寸硅基氮化鎵晶圓產(chǎn)業(yè)化上取得重大突破,為今后該領(lǐng)域的發(fā)展奠定了良好基礎(chǔ),必將為中國在半導體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)“換道超車”作出重要貢獻。

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