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    單層二硫化鉬

    應用于半導體行業(yè)：

    半導體原材料-其它材料-其它

    庫       存：

    10

    產       地：

    全國

    數       量：

    減少 增加

    價       格：

    面議
    交易保障 擔保交易 網銀支付

    客服電話：4006988696

    品牌：

    型號：

    所屬系列：半導體原材料-其它材料-其它


    產品描述
    單層二硫化鉬（1H-MoS?）薄片可從體相二硫化鉬（2H-MoS?）剝離到90nm熱氧化物上制得，尺寸為5μm-40μm。每個樣品至少含有一個單層MoS?，可使用給定的x和y坐標找到。該產品附帶光學圖像和初步測試結果。單層MoS?在1.85-1.88eV處具有強烈的PL信號，具有0.04至0.1eV的FWHM，并且拉曼峰值位于386cm -1（E2g面內）和404cm -1（Alg面外）模式）處。拉曼光譜表征：薄片在386cm-1（E2g-面內）和404cm-1（A1g面外）有兩個突出的拉曼峰，半峰高寬（FWHM）小于5cm- 1。光致發(fā)光（PL）：體相二硫化鉬直接帶隙為1.85eV（670nm）。PL測量顯示該PL峰位于1.85eV（670nm）處并聚友0.04-0.10eV 的 FWHM。光學顯微鏡圖像：在光學顯微鏡下檢查每個樣品，并記錄對應的xy坐標。
    可能的應用：
    l 電子產品
    l 傳感器 - 探測器
    l 光學
    l STM - AFM應用
    l 分子檢測 - 結合
    l 超低摩擦研究
    l 材料科學與半導體研究

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