蕪湖恒樞科技供應(yīng)砷化銦InAs 晶片。
尺寸:2,3英寸;
概述:InAs晶體具有較高的電子遷移率和遷移率比值(μe/μh=70),低的磁阻效應(yīng)和小的電阻溫度系數(shù),是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。
InAs的發(fā)射波長(zhǎng)3.34μm,在InAs襯底上能生長(zhǎng)晶格匹配的In-GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料,可制造2~4μm波段的光纖通信用的激光器和探測(cè)器。
應(yīng)用:InAs可以生長(zhǎng)InAsSb/InAsPSb、nAsPSb等異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料,制作波長(zhǎng)2-12μm的紅外發(fā)光器件。
用InAs單晶襯底還可以外延生長(zhǎng)InAsPSb超晶格結(jié)構(gòu)材料,制作中紅外量子級(jí)聯(lián)激光器。這些紅外器件在氣體檢測(cè)、低損耗光纖通信領(lǐng)域有良好的應(yīng)用前景。
此外,InAs單晶具有很高的電子遷移率,是一種制作Hall器件的理想材料。