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    III-V化合物砷化銦(InAs)單晶片&外延片 2.3英寸

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè):

    半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類(lèi)-砷化銦

    產(chǎn)品品牌

    蕪湖恒樞

    規(guī)格型號(hào):

    2.34.5.6.8.12英寸

    發(fā)貨期限:

    48小時(shí)天

    庫(kù)       存:

    1000

    產(chǎn)       地:

    全國(guó)

    數(shù)       量:

    減少 增加

    價(jià)       格:

    120.00
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    客服電話:4006988696

    品牌:蕪湖恒樞

    型號(hào):2.34.5.6.8.12英寸

    所屬系列:半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類(lèi)-砷化銦

     蕪湖恒樞科技供應(yīng)砷化銦InAs 晶片。
     尺寸:2,3英寸;
     概述:InAs晶體具有較高的電子遷移率和遷移率比值(μe/μh=70),低的磁阻效應(yīng)和小的電阻溫度系數(shù),是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。
    InAs的發(fā)射波長(zhǎng)3.34μm,在InAs襯底上能生長(zhǎng)晶格匹配的In-GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料,可制造2~4μm波段的光纖通信用的激光器和探測(cè)器。
     
     應(yīng)用:InAs可以生長(zhǎng)InAsSb/InAsPSb、nAsPSb等異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料,制作波長(zhǎng)2-12μm的紅外發(fā)光器件。
     
    用InAs單晶襯底還可以外延生長(zhǎng)InAsPSb超晶格結(jié)構(gòu)材料,制作中紅外量子級(jí)聯(lián)激光器。這些紅外器件在氣體檢測(cè)、低損耗光纖通信領(lǐng)域有良好的應(yīng)用前景。
    此外,InAs單晶具有很高的電子遷移率,是一種制作Hall器件的理想材料。

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