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    漏電微光顯微鏡分析儀emmi失效分析電流異常定位

    應用于半導體行業(yè):

    半導體測試設備-電學性能測試-其他

    產品品牌

    ADVANCED

    庫       存:

    100

    產       地:

    全國

    數       量:

    減少 增加

    價       格:

    面議
    交易保障 擔保交易 網銀支付

    品牌:ADVANCED

    型號:

    所屬系列:半導體測試設備-電學性能測試-其他

     

     

    u主要用途
    當氧化層崩潰、靜電放電破壞、閂鎖效應時,產生了過量的電子和空穴結合并產生躍遷光子,由探測器通過顯微鏡收集這些光子并精確地定位出其位置,通常這個位置就是存在異常的缺陷位置。
    u 
    性能參數
    a)InGaAs檢測器,分辨率:320*256 像素;
    b)偵測波長范圍900nm - 1700nm
    c)像素尺寸:30um x 30um
    d)曝光時間 20ms - 400s
    e)放大倍率:25x, 50x, 200x ,1000x
    f)Back side EMMI
    u
     
    應用范圍
     1.P-N接面漏電
     2.飽和區(qū)晶體管的熱電子
     3.P-N接面崩潰
     4.閂鎖效應
     5.氧化層漏電流產生的光子激發(fā)

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