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CPI系列純化學拋光設備是 MCF 公司研制的一款，對于高精度的半導體晶片及其它電子、光電晶體的表面進行最終腐蝕拋光工藝的設備，可以實現(xiàn)最低的次級表面損傷。CPI系列化學拋光設備具有強防腐蝕的功能，在保護操作人員人身安全的情況下，還能夠很好的滿足腐蝕拋光溶劑，如溴甲醇，過氧化氫或酸腐蝕劑等，同樣也適用于腐蝕性較弱的化學拋光，如半導體晶片的背面拋光。CPI系列純化學拋光設備可以與GNAD系列精密研磨拋光設備配合使用，可以實現(xiàn)電子器件對于晶片表面平整度、平行度及厚度非常苛刻的控制要求，并能完全達到這些控制標準。

特點

• 無任何機械作用力，實現(xiàn)最低次級表面損傷

• 超強防腐材料制成，由聚丙烯，涂PVDF和環(huán)氧的聚亞安酯制成，可用于多種侵蝕劑液，如溴-甲醇等。

• 加工樣品尺寸（3×3＂），（3×4＂），（2×3＂和1×4＂），（1×3＂和2×4＂），（3×3＂和3×4＂）等多種尺寸組合可根據(jù)用戶工藝要求定制。

• 滴液速度、磨盤轉速可設置，擺速可從0到45每秒，操作方便，可遠程控制。

• 時間從0到10個小時自由調節(jié)，到達設定時間時，儀器可以繼續(xù)運行，也可以設置成自動停止。

• 半導體晶片和光晶體的高精度腐蝕拋光，并提供晶體最小應力的解決方案

原理

設備由主驅動系統(tǒng)，防腐蝕填料系統(tǒng)，廢料疏導系統(tǒng)和遠程控制系統(tǒng)組成，拋光盤更換方便，并且容易清洗。主驅動系統(tǒng)配有齒輪驅動裝置，樣品在行星齒輪內繞著中心齒輪同步轉動，保證了樣品表面平整度和平行度。

應用

1、用于紅外探測和其它器件的碲鋅鎘,銻化銦，碲鎘汞等材料在封裝及外延生長前的末級化學腐蝕拋光。

2、用于薄脆的半導體材料，如砷化鎵，磷化銦和多種Ⅲ-Ⅴ族,Ⅱ-Ⅵ族化合物等。

3、用于所有需要電子/光學級拋光的高標準應用，如硫化鎘及類似的光電材料。

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